مشخصات توسیع میدان منظم
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم
- نویسنده مهدی رضی پور
- استاد راهنما کمال عقیق
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1388
چکیده
در این پایان نامه ابتدا به بررسی میدان های هنسیلین و میدان های منظم و بی نقص می پردازیم و در ادامه به توسیع گالوای منظم و کاربرد آنها در نظریه ارزش می پردازیم.
منابع مشابه
نمایش منظم جبرهای نیم ساده و کاربردهای آن در توسیع میدان ها، گروه سرشت ها و تعمیم کدهای دوری
مقادیر سرشت¬های یک گروه متناهی، مزدوج¬های گالوای یک عنصر در یک توسیع گالوای میدان، مقادیر ویژه ماتریس¬های دوری تعمیم یافته و ضرایب متیسون – سالمون یک کد کلمه در یک کد دوری همگی مثال¬هایی از مقادیر ویژه عنصرهایی از جبرهای نیم¬ساده جابجایی هستند. در این پایان¬نامه قصد داریم به کمک خواص جبرهای نیم¬ساده جابجایی، احکام مشترکی برای جبرهای فوق ارائه دهیم.
توسیع ایده ماکسیمم آنتروپی برای اندازه های اطلاع تعمیم یافته
آنتروپی رنی ماکسیمم و آنتروپی تی‌سالیس ماکسیمم توسیع ایده آنتروپی ماکسیمم به رده بزرگتری از آنتروپی شانون است. در این مقاله ضمن معرفی آنتروپی رنی ماکسیمم به برخی از توزیع‌های خاص که آنتروپی رنی را ماکسیمم می‌کند، اشاره می‌شود. توزیع‌های دارای آنتروپی رنی ماکسیمم به شکل توزیع‌های توانی هستند. برخی از ویژگی‌های توزیع‌های توانی ارائه و نمایش جدیدی از آنتروپی رنی حاصل می‌شود. به بحث مینیمم اندازه ا...
متن کاملمشخصات ترابرد حامل ها در نانوترانزیستورهای اثر میدان
فناوری cmos از مزیت های متعددی همچون قابلیت اطمینان بالا، سادگی ساخت و مقیاس پذیری برخوردار است و به همین علت در چند دهه ی اخیر به عنوان اصلی ترین فناوری در ساخت مدارهای مجتمع مطرح بوده است. جالب اینکه، در تمام دوره ی حیات خود، این فناوری همواره به سرعت در حال پیشرفت بوده است به گونه ای که به طور مستمر شاهد تولد تراشه هایی بوده ایم که سرعت بالاتر، توان مصرفی کمتر و کارآیی بیشتر داشته اند. کاه...
15 صفحه اولآنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان نفوذی افقی (ldmos)
در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...
15 صفحه اولبهبود مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان نفوذ افقی
در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...
بهبود مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید
این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی و ارائه چندین ساختار نوین برای آنها می پردازد. با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آنها در علوم مختلف از جمله در تجهیزات نظامی، در تمام ساختارهای ارائه شده سعی بر آن است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی ترانزیستور را بطور همزمان افزایش دهیم. ابتدا مسفتی از جنس گالیم آرسناید مورد مطالعه قرار گرفته ا...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023